dc.contributor.author | MAGARIU, Nicolae | |
dc.contributor.author | TROFIM, Viorel | |
dc.contributor.author | LUPAN, Oleg | |
dc.date.accessioned | 2023-11-28T14:49:36Z | |
dc.date.available | 2023-11-28T14:49:36Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.identifier.citation | MAGARIU, Nicolae, TROFIM, Viorel, LUPAN, Oleg. N-Butanol sensor based on ZnO-Al2O3 heterojunction. In: The 24th international exhibition of inventions INVENTICA 2020, Iasi, Romania, 2020, p. 419. ISSN:1844-7880. | en_US |
dc.identifier.issn | 1844-7880 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/25053 | |
dc.description | Patent / patent application Nr. 2049 from 13.05.2020. Domain: Industrial equipment and units; Security, protection, safety – antiterrorism, disasters and accidents. | en_US |
dc.description.abstract | Invenția se referă la tehnica și tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la senzori de butanol pe baza heteronjocțiunilor ZnO-Al2O3. Butanolul se folosește pe larg în calitate de solvent pentru confecționarea lacurilor și vopselelor. La n-Butanol pragul de percepție a mirosului este la nivelul 14-16 ppm, însă limita admisibilă a concentrației acestuia în aer ≈ 3,3 ppm. Din aceste considerente este necesar de confecționat senzori sensibili la concentrații mici a butanolului. Problema pe care o rezolvă invenția propusă, constă în confecționarea unui sensor de n-Butanol cu o sensibilitate mai mare la concentrații mici a gazului. | en_US |
dc.description.abstract | The invention relates to the technique and technology of oxide semiconductors, in particular to butanol sensors based on ZnO-Al2O3 heteronjunctions. Butanol is widely used as a solvent for the manufacture of varnishes and paints. For butanol, the odor threshold is at 14-16 ppm, but the permissible limit of its concentration in air ≈ 3.3 ppm. For these reasons it is necessary to make sensors sensitive to low concentrations of butanol. The problem solved by the proposed invention is the manufacture of an n-Butanol sensor with a higher sensitivity to low gas concentrations. | en_US |
dc.language.iso | en | en_US |
dc.publisher | Technical University "Gheorghe Asachi" of Iași | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | semiconductori oxizi | en_US |
dc.subject | senzori de butanol | en_US |
dc.subject | heteronjocțiuni ZnO-Al2O3 | en_US |
dc.subject | oxide semiconductors | en_US |
dc.subject | butanol sensors | en_US |
dc.subject | ZnO-Al2O3 heteronjunctions | en_US |
dc.title | N-Butanol sensor based on ZnO-Al2O3 heterojunction | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: