Invenţia se referă la tehnologia de depunere a peliculelor
din semiconductori oxizi, în particular la un procedeu de
obținere a peliculelor ZnO:Eu3+, cu aplicarea tratamentului
fotonic rapid (T=650 °C, t=60s), care pot fi aplicate la
confecționarea senzorilor de gaze obținând sensibilitatea
la concentrația de 100 ppm H2 la temperatura
camerei și la temperatura de operare de 250
oC .
The invention relates to the technology for deposition of
semiconductor oxide films, in particular to the process of
obtaining of ZnO:Eu3+ films, with application of rapid thermal
annealing (T=650 °C, t=60s), with can be applied to the
manufacture of gas sensors obtaining sensibility
for 100 ppm H2 gas at room temperature and
at operating temperature of 250 oC.