Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration

Abstract

Dispozitivul reprezintă o diodă Schottky bazată pe o structură Me-ZnP2, obținută prin depunerea electrochimică a metalului și prin pulverizarea termochimică în vid. Principiul de funcționare se bazează pe efectul girotropieiopticeși polarizabilitatea neliniarăa cristalului în intervalul de lungimi de undă de 450-800nm.Caracteristicile fotoelectrice ale diodei și fotocurentul depind de polarizarea radiației incidente și a tensiunii aplicate.Dispozitivul poate fi utilizat pentru studiereadispersiei modalede polarizare, orientarea exactă a obiectelor în spațiu și alte aplicații din industrie.

The device represents a Schottky diode based on Ме- ZnP2structure obtained by electrochemical deposition of metal and by thermo-chemical spraying in vacuum. The operating principle is based on optical gyrotropy effect and nonlinear crystal polarizability in the wavelength range 450- 800nm. The diode’s LIV characteristics and photocurrent depend on the polarization of incident light and applied voltage. The device can be used for studying the polarization modedispersion, exact orientation of objects in space and other industry applications.