Gas sensor based on MoO3

Abstract

Invenția se referă la tehnica semiconductorilor oxizi, in particular la senzori de gaze pe bază de oxid de molibden.Senzorul de gaze pe bază de MoO3 include un substrat dielectric, pe una din suprafețele căruia este amplasat un strat senzitiv din MoO3, cu contacte ohmice depuse pe acesta ,formand zona senzitivă, iar pe suprafața opusă a substratului este depus un element de încălzire. Stratul senzitiv este executat înform de o bandă nanocristalină cu grosimea de 150 nm şi lățimea zonei senzitive de 150µm.

The invention relates to the technology of oxide semiconductors, in particular to gas sensors based on molybdenum oxide. The gas sensor based on MoO3 comprises a dielectric substrate, on one side of which is placed a sensitive layer of MoO3, with ohmic contactsapplied on it, forming the sensitive zone, and on the opposite surface of the substrate is applied a heating element. The sensitivelayeris made in theform of a nanocrystallinestrip of a thickness of 150 nm and a width of the sensitive zone of 150 µm.