DSpace Repository

Proprietățile optice și electronice ale compușilor calcogenizi cristalini ZnAl2Se4, XIn2S4 (X = Zn, Hg), TlGaSe2

Show simple item record

dc.contributor.advisor TIGHINEANU, Ion
dc.contributor.author TÎRON, Andrei
dc.date.accessioned 2024-01-25T10:00:11Z
dc.date.available 2024-01-25T10:00:11Z
dc.date.issued 2024
dc.identifier.citation TÎRON, Andrei. Proprietățile optice și electronice ale compușilor calcogenizi cristalini ZnAl2Se4, XIn2S4 (X = Zn, Hg), TlGaSe2: spec. 134.01 - Fizica şi tehnologia materialelor: tz. doct. în științe fizice. Cond. şt. Ion TIGHINEANU. Chișinău, 2024. 160 p. en_US
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/26021
dc.description Fişierele ataşate: Teza de doctor & Rezumatele tezei de doctor (Ro, Ru). en_US
dc.description.abstract Основная цель работы состояла в комплексном исследовании фундаментальных свойств ZnAl2Se4, ZnIn2S4, HgIn2S4 и TlGaSe2; определение их оптических параметров n, k, ε1, ε2; определение параметров экситонных состояний R, Eg, M, μ, εb, mc, mv, ωLT, Δcf, Δso, и определение энергетических зон, ответственных за переходы в глубине полосы собственного поглощения. В результате проделанной работы были решены следующие задачи: исследование анизотропии оптических свойств в области начала краевого поглощения, определение зависимости показателя преломления от поляризации света и выявление изотропной длины волны (λ0); исследование поляризационных зависимостей экситонных спектров кристаллов и определение параметры экситонов; рассчет оптических функции (n, k, ε1, ε2) в глубине полосы собственного поглощения по соотношениям Крамерса–Кронига. en_US
dc.description.abstract Scopul lucrării constă în studiul complex al proprietăților fundamentale ale compușilor semiconductori ZnAl2Se4, ZnIn2S4, HgIn2S4 și TlGaSe2; determinarea parametrilor optici n, k, ε1, ε2; determinarea parametrilor stărilor excitonice Rу, Eg, M, μ, εb, mc, mv, ωLT, Δcf, Δso, și determinarea benzilor energetice resposabile de tranzițiile electronice în adâncimea absorbției intrinseci. Obiectivele cercetării: studiul anizotropiei proprietăților optice în regiunea marginii de absorbție fundamentală, determinarea dependenței indicelui de refracție de polarizarea luminii și identificarea lungimii de undă izotrope (λ0); studiul dependențelor de polarizare a spectrelor excitonice ale cristalelor și determinarea parametrilor excitonilor; calculul funcțiilor optice (n, k, ε1, ε2) în adâncimea absorbției intrinseci conform relațiilor Kramers-Kronig. en_US
dc.description.abstract The goal of the thesis is to perform a complex study of fundamental properties of semiconductor compounds ZnAl2Se4, ZnIn2S4, HgIn2S4 and TlGaSe2; to determine the optical parameters n, k, ε1, ε2, the parameters of excitonic states Rу, Eg, M, μ, εb, mc, mv, ωLT, Δcf, Δso and the energy bands responsible for electronic transitions în the depth of the intrinsic absorption. Research objectives: study of the anisotropy of optical properties in the region of fundamental absorption, determination of the dependence of the refractive index upon light polarization and identification of isotropic wavelengths (λ0); study of the dependence of excitonic spectra of investigated crystals upon the light polarization and determination of excitonic parameters; calculation of optical functions (n, k, ε1, ε2) in the depth of the intrinsic absorption according to Kramers-Kronig relations. en_US
dc.language.iso ru en_US
dc.publisher Universitatea Tehnică a Moldovei en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject оптическая спектроскопия en_US
dc.subject экситоны en_US
dc.subject поляритоны en_US
dc.subject энергетические зоны en_US
dc.subject двулучепреломление en_US
dc.subject пространственная дисперсия en_US
dc.subject спектры отражения en_US
dc.subject экситонные состояния en_US
dc.subject постоянная Ридберга экситона en_US
dc.subject изотропная точка en_US
dc.subject коэффициент экстинкции en_US
dc.subject диэлектрическая проницаемость en_US
dc.subject масса электронов en_US
dc.subject масса дырок en_US
dc.subject масса экситона en_US
dc.subject spectroscopie optică en_US
dc.subject excitoni en_US
dc.subject polaritoni en_US
dc.subject benzi energetice en_US
dc.subject birefringență en_US
dc.subject dispersie spațială en_US
dc.subject spectre de reflexie modulat en_US
dc.subject stări excitonice en_US
dc.subject constanta Rydberg en_US
dc.subject indici de refracție en_US
dc.subject puncte izotrope en_US
dc.subject coeficient de extincție en_US
dc.subject funcția dielectrică en_US
dc.subject masa electronilor en_US
dc.subject masa golurilor en_US
dc.subject masa excitonului en_US
dc.subject optical spectroscopy en_US
dc.subject excitons en_US
dc.subject polaritons en_US
dc.subject energy band structures en_US
dc.subject birefringence en_US
dc.subject spatial dispersion en_US
dc.subject reflectance spectra en_US
dc.subject excitonic states en_US
dc.subject Rydberg constant en_US
dc.subject refractive index en_US
dc.subject isotropic points en_US
dc.subject extinction coefficient en_US
dc.subject dielectric function en_US
dc.subject electrons mass en_US
dc.subject holes mass en_US
dc.subject excitonic mass en_US
dc.title Proprietățile optice și electronice ale compușilor calcogenizi cristalini ZnAl2Se4, XIn2S4 (X = Zn, Hg), TlGaSe2 en_US
dc.title.alternative Оптические и электронные свойства халькогенидных кристаллических соединений ZnAl2Se4, XIn2S4 (X = Zn, Hg), TlGaSe2 en_US
dc.title.alternative Optical and electronic properties of crystalline chalcogenide compounds ZnAl2Se4, XIn2S4 (X = Zn, Hg), TlGaSe2 en_US
dc.type Thesis en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account