Technology to prepare the single-crystals layers for thermoelectric applications (microcoolers)

Abstract

Scopul principal al prezentării date a fost elaborarea de noi tehnici fiabile și reproductibile de inginerie pentru a

fabrica structuri dimensional-reduse (straturi monocristale) de telurură de bismuth și izolator topologic semiconductor bismut–antimoniu (IT) n- și de tip p- pentru aplicații termoelectrice (microcoolers). S-au preparat straturi monocristaline unice de Bi2Te3 (1-20 μm) folosind metoda de exfoliere mecanică prin scindarea unui strat subțire din probe cristaline masive Bi2Te3 și Bi1-xSbx. Utilizarea straturilor de tip p- și n- ca ramuri n- și p- ale unui termocuplu și utilizarea metodei de segmentare au

transversală de 5 x 10-4 cm2. Se știe că o creștere a temperaturii micro-senzorului cu 10oC duce la o scădere de două ori a durabilității senzorului.

The primary purpose of the given presentation was to develop new reliable and reproducible engineering techniques to prepare low-dimensional structures (single- crystals layers) of bismuth telluride and semiconductor bismuth–antimony topological insulator (TI) n-and p-type for thermoelectric applications (microcoolers).