Procedeul, conform invenţiei, constă în obţinerea
particulelor şi nano-microfirelor de GaN cu conductibilitate
de tip P prin intermediul reacţiilor chimice în procesul
hidrotermal, dintre compusul utilizat ca sursă a atomilor
de galiu şi acetat de magneziu Mg(CH3COO)2, sau acetat
tetrahidrat de magneziu Mg(CH3COO)2 * 4H2O – ca sursă
a atomilor de magneziu cu concentrația de (0,4 - 2,0)
%wt. Materilul obținut cu dimensionalități la nivel nano-
micrometric demonstrează proprietăţi radiative intense cu
maximul benzii de emisie situat la 380 nm.
The process according to the invention consists in
obtaining p-type conductivity GaN particles and nano-
microwires by means of chemical reactions in the
hydrothermal process, between the compound used as
source of gallium atoms and magnesium acetate
Mg(CH3COO)2, or acetate tetrahydrate of magnesium
Mg(CH3COO)2•4H2O - as a source of magnesium atoms
with a concentration of (0.4 - 2.0)% wt. The material
obtained with dimensions at nano-micrometric level
demonstrates intense radiative properties with the
maximum emission band located at 380 nm.