DSpace Repository

Stabilitatea iradiaţională a compuşilor semiconductori de tipul AII BIII 2 CVI 4

Show simple item record

dc.contributor.author GHEORGHIŢĂ, E.
dc.contributor.author MACIUGA, A.
dc.contributor.author RADU, R.
dc.contributor.author PÎNTEA, V.
dc.contributor.author STRATAN, I.
dc.contributor.author ARAMĂ, E.
dc.date.accessioned 2019-07-25T09:44:24Z
dc.date.available 2019-07-25T09:44:24Z
dc.date.issued 2005
dc.identifier.citation GHEORGHIŢĂ, E., MACIUGA, A., RADU, R. et al. Stabilitatea iradiaţională a compuşilor semiconductori de tipul AII BIII 2 CVI 4. In: Meridian Ingineresc. 2005, nr. 4, pp. 112-114. ISSN 1683-853X. en_US
dc.identifier.issn 1683-853X
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/3770
dc.description.abstract În prezenta lucrare sunt prezentate rezultatele experimentale, privind apariţia defectelor în ZnIn2S4 la iradierea lui cu energii până la zona de prag. Pentru depistarea schimbărilor iradiaţionale asupra proprietăţilor optice şi fotoelectrice ale acestui compus au fost efectuate măsurări ale muchiei fundamentale de absorbţie optică, fotoconductibilităţii, fotoluminescenţii, atât a probelor iniţiale, cît şi a celor iradiate. en_US
dc.description.abstract In these worn are presented the experimental results regarding the defects detections in ZnIn2S4 semi-conductors irradiated below the threshold. To observe the irradiation variation of optic an photoelectric properties of semi-conductors. Mentioned below the wine madly measures of optic absorption, of photo conductibility an of photo luminosity of irradiation an uniradiation probes. The obtained results were compared with the results for otter semi-conductor materials. en
dc.description.abstract Dans ce ouvre sont présentes le résultats expérimentaux sur l’apparition des défaut dans les semi-conducteurs ZnIn2S4 irradiés avec des énergie jusqu’à la zone de seul. Pur l’observation des variations irradiationnele sur le propriétés optiques e photoélectriques des semi-conducteurs de ci dessus in a effectué des investigations expérimentales sur l’absorption optique , la photo conductibilité et la photo luminescence des échantillons irradiés e no irradiés. fr
dc.description.abstract В данной работе представлены экспериментальные результаты по дефекто-образования ZnIn2S4 при облучении пучками ускоренные электронов с допороговыми энергиями. Для выявления влияния облучения на свойства исследуемых образцов были проведены комплексные исследования оптического поглощения (прозрачности), фотопроводимости и фотолю-минесценции как для исходных так и для облученных образцов. Результаты обсуждаются и сравниваются с аналогичными для других известных полупроводниковых материалов. ru
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Editura U.T.M. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject semiconductor compounds en_US
dc.subject compuşi semiconductori en_US
dc.subject semiconductori en_US
dc.title Stabilitatea iradiaţională a compuşilor semiconductori de tipul AII BIII 2 CVI 4 en_US
dc.title.alternative The irradiation stabilité of semiconductor compound of type AII BIII2 CVI4 en_US
dc.title.alternative La stabilité irradiationnellement des composants des semi-conducteurs de type AII BIII2 CVI4 en_US
dc.title.alternative Радиационная устойчивость полупроводни-ковых соединений типа AII BIII2 CVI4 en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account