Preparation of cuprous oxide thin films by chemical deposition and rapid photothermal processing

Abstract

The present work report the formation of homogeneous conductive cuprous oxide thin films by chemical solution deposition technique and rapid photothermal processing. Were investigated various aspects of thin films deposition, morphology, composition, atomic ratio, sensitivity. The films were calcined at 300C, 350C, 400C for 7 sec. Is demonstrated that rapid photothermal processing is more efficient than conventional heat treatment.

În lucrarea dată sunt expuse tehnologia de obţinere a peliculelor subţiri de oxid de cupru prin metoda depunerii chimice şi procesare fototermică rapidă. Au fost cercetate aspectele depunerii, morfologia, compoziţia, rata atomică, sensibilitatea. Peliculele obţinute au fost procesate la 300C, 350C, 400C timp de 7 sec. Se demonstrează că procesarea fototermică rapidă este mult mai eficientă decât tratamentul termic.

Le présent article rapporte la formation des conducteur homogène minces couches d’oxyde cuivreux par technique chimique de dépôt de solution et rapide photothermique recuit. Un procède qui améliore l’efficacité de la méthode CBD pendant la croissance des films de Cu2O est présente. Les films comme-déposés ont été calcines a 3000С, 3500С, 4000С pour 7 secs. Le recuit rapide de photothermique de la couche mince d’oxyde cuivreux déterminent en quelques secondes les effets qui entreprenant pendant de traitement thermique.

В данной работе приведены результаты формирования тонких слоев оксида меди методом химического осаждения и импульсным фототермическим отжигом. Представлен метод улучшения эффективности метода во время роста слоёв Cu2O. Полученные слои были подвергнуты импульсному фототермическому отжигу при температуре 3000С, 3500С, 4000С в течении 7 сек. Быстрый фототермический отжиг слоев Cu2O намного эффективнее традиционного термического отжига.