Scopul lucrării constă în studiul experimental al anizotropiei cristalelor semiconductoare cu simetrie redusă, stabilirea mecanismelor de anizotropie a proprietăților optoelectronice, studiul fenomenelor la suprafața cristalelor și interfețele cu metalele și alți semiconductori, elucidarea aplicațiilor practice ale dicroismului optic și fotoelectric, studiul parametrilor și proprietăților structurilor cu gropi cuantice In0,3Ga0,7As/GaAs cu scopul elaborării dispozitivelor optoelectronice.
The scopes of the papers consists in the experimental study of anisotropy of semiconductor crystals with reduced symmetry, establishing the mechanisms of anisotropy of optical properties, study of phenomena at the crystals’ surface and at the interfaces of metal and other semiconductors, elucidating the practical applications of optical and photoelectric dichroism, study of parameters and properties of In0,3Ga0,7As/GaAs quantum well structures with the aim of developing optoelectronic devices.
Целью работы является изучение анизотропии низкосимметричных полупроводниковых кристаллов, изучение явлений на поверхности кристаллов и границ раздела с металлами и полупроводниками, изучение параметров и свойств In0,3Ga0,7As/GaAs структур с квантовыми ярмами, с целью разработки оптоэлектронных устройств.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States