DSpace Repository

Memristive devices

Show simple item record

dc.contributor.author BĂJENESCU, Titu-Marius I.
dc.date.accessioned 2019-02-20T11:48:16Z
dc.date.available 2019-02-20T11:48:16Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation BĂJENESCU, Titu-Marius I. Memristive devices. In: Meridian Ingineresc. 2016, nr. 2, pp. 11-17. ISSN 1683-853X. en_US
dc.identifier.issn 1683-853X
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/440
dc.description.abstract As MEMS technology is implemented in a growing range of areas, the reliability of MEMS devices is a concern. Understanding the failure mechanisms is a prerequisite for quantifying and improving the reliability of MEMS devices. This paper reviews the common failure mechanisms in MEMS and highlights some of the reliability concerns for both ohmic and capacitive MEMS switches. Ohmic switches fail catastrophically by stiction whereas dielectric charging leads to degraded performance of capacitive switches. en_US
dc.description.abstract Aceste dispozitive sunt comutatoare de rezistențe electrice care pot să-și amintească de starea rezistenței interne pe baza istoricului curentului și tensiunii aplicate. Ele pot înmagazina și trata informația oferind câteva caracteristici-cheie performante care depășesc tehnologia convențională a circuitelor integrate. O importantă clasă de memristoare sunt comutatoare de rezistență cu două terminale, bazate pe mișcarea ionilor, și sunt constituite dintr-un simplu teanc conductor/izolant/conductor realizat dintr-un film subțire. ro
dc.description.abstract Ces dispositifs sont des commutateurs de résistances électriques qui peuvent se souvenir de l’état de la résistance interne sur la base de l’histoire de la tension et du courant appliqués. Les dispositifs memristifs peuvent emmagasiner et traiter l’information et offrent quelques caractéristiques-clé performantes qui dépassent la technologie conventionnelle des circuits intégrés. Une importante classe de dispositifs memristifs sont des commutateurs de résistance à deux terminaux, basés sur le mouvement des ions, qui sont constitués d’une simple pile conducteur/isolant/conducteur réalisée en film mince. fr
dc.description.abstract Эти устройства представляют собой переключателями электрических резисторов которые могут вспомнить состояние внутреннего сопротивления на базе истории и текущего приложенного напряжения. Они могут хранить и обрабатывать информацию, предлагая некоторые ключевые харак теристики, превосходящие обычные технологии интегральных схем. Важным классом мемристоров являются переключатели сопротивления с двумя терминалами, основанные на перемещении ионов, и состоят из простого стека проводник / диэлектрик / проводник, выполненного из тонкой пленки. ru
dc.language.iso en en_US
dc.publisher Technical University of Moldova en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject electrical resistors en_US
dc.subject MEMS en_US
dc.subject comutatoare de rezistențe electrice en_US
dc.subject memristoare en_US
dc.subject dispozitive memristive en_US
dc.title Memristive devices en_US
dc.title.alternative Dispozitive memristive (cu memristoare) en_US
dc.title.alternative Dispositifs memristifs en_US
dc.title.alternative Устройства пизастор (с пизасторами) en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account