Позиционная чувствительность 4-х контактных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда

Abstract

Показана возможность создания 4-х контактных позиционно - чувствительных фотоприемников из эпитаксиальных слоев n-CdSe, выращенных в квазизамкнутом объеме на кристаллах слюды. Проведен анализ их позиционной чувствительности на основе элементарной теории токопротекания, развитой на базе решения уравнения Лапласа, и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности таких ПЧФ коррелируют с их экспериментальными зависимостями как по форме, так и положению своих максимумов.