DSpace Repository

Топологические Переходы Полупроводник-Полуметалл в Нитях Bi1-ХSbх при Анизотропной Деформации

Show simple item record

dc.contributor.author НИКОЛАЕВА, Альбина
dc.contributor.author КОНОПКО, Леонид
dc.contributor.author ХУБЕР, Тито
dc.contributor.author ПОПОВ, Иван
dc.contributor.author МОЛОШНИК, Евгений
dc.date.accessioned 2019-11-07T08:36:03Z
dc.date.available 2019-11-07T08:36:03Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation НИКОЛАЕВА, Альбина, КОНОПКО, Леонид, ХУБЕР, Тито et al. Топологические Переходы Полупроводник-Полуметалл в Нитях Bi1-ХSbх при Анизотропной Деформации. In: Microelectronics and Computer Science: proc. of the 7th intern. Conf., September 22-24, 2011. Chişinău, 2011, vol. 1, pp. 136-138. ISBN 978-9975-45-174-1. en_US
dc.identifier.isbn 978-9975-45-174-1
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/6305
dc.description.abstract Получены монокристаллические нити Bi1-хSbх в полупроводниковой области концентраций (0,05< х< 0,12) в стеклянной оболочке с диаметрами от 1 мкм до 2мкм. При анизотропной деформации типа одноосного растяжения (до 2 % относительного удлинения), получен объем новой информации о количественной и качественной перестройке зонной структуры полупроводниковых нитей Bi- 8ат%Sb. Установлено, что при анизотропной деформации типа упругого растяжения нитей Bi- 8ат%Sb происходит переход полупроводник – полуметалл, при котором сопротивление нити уменьшается в 2 раза. Переход регистрировался с помощью осцилляций Шубникова де Гааза от появляющихся L носителей и в сильных магнитных полях от Т – дырок, что указывает на возрастание перекрытия L и Т термов, т.е. на усиление вырождения системы. Полученная информация будет полезна с точки зрения оптимизации приборов для термомагнитного охлаждения и приемников ИК – излучения, а так же при изготовлении тензодатчиков на основе Bi и сплавов Bi1-хSbх. en_US
dc.language.iso ru en_US
dc.publisher Technical University of Moldova en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject анизотропная деформация en_US
dc.subject переход полупроводник– полуметалл en_US
dc.subject полупроводниковые нанонити en_US
dc.subject нанонити en_US
dc.title Топологические Переходы Полупроводник-Полуметалл в Нитях Bi1-ХSbх при Анизотропной Деформации en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account