BODIUL, P.; GITSU, D.; IVANOV, G.; NIKOLAEVA, A.; PARA, G.
(Институт термоэлектричества Национальной академии наук и Министерства образования и науки Украины, 1999)
Generalizing data of the most typical peculiarities of influence of the impurities (isovalent (Sb, As), donor (Te, Se) and acceptor (Pb, Sn) ones) on the charge transport phenomena in bismuth are given. Proceedingfrom ...