dc.contributor.author | GHIMPU, L. | |
dc.contributor.author | PANTAZI, A. | |
dc.contributor.author | BRINCOVEANU, O. | |
dc.contributor.author | MESTERCA, R. | |
dc.contributor.author | URSACHI | |
dc.contributor.author | TIGHINEANU, I. | |
dc.date.accessioned | 2020-12-08T16:39:28Z | |
dc.date.available | 2020-12-08T16:39:28Z | |
dc.date.issued | 2017 | |
dc.identifier.citation | GHIMPU, L., PANTAZI, A., BRINCOVEANU, O., MESTERCA, R., URSACHI, TIGHINEANU, I., ENACHESCU, M. Structuri miez/înveliș bazate pe CdTe/SnO2 și GaAs/SnO2 pentru aplicații optoelectronice. In: Microelectronics and Computer Science: proc. of the 9th intern. conf., October 19-21, 2017. Chişinău, 2017, p. 463. ISBN 978-9975-4264-8-0. | en_US |
dc.identifier.isbn | 978-9975-4264-8-0 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/11983 | |
dc.description.abstract | Extinderea cercetărilor structurilor miez/înveliș capătă un interes deosebit atât pentru utilizarea lor in diferite domenii, cât și pentru proprietățile lor intermediare dintre structurile deosebit de mici față de proprietățile fizice ale structurilor masive. Compușii binari ai semiconductorilor II-VI și III-V, așa ca CdTe, GaAs sunt foarte bine studiați ca materiale extensive la scară micro și nano, datorită posibilităților de utilizare în detectori de radiație ionizantă și aplicații fotovoltaice. | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Technical University of Moldova | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | structuri miez/înveliș | en_US |
dc.subject | spectre Raman | en_US |
dc.subject | aplicații optoelectronice | en_US |
dc.title | Structuri miez/înveliș bazate pe CdTe/SnO2 și GaAs/SnO2 pentru aplicații optoelectronice | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: