Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author DOROGAN, Valerian
dc.contributor.author VIERU, Tatiana
dc.contributor.author DOROGAN, Andrei
dc.contributor.author VIERU, Stanislav
dc.date.accessioned 2021-04-16T06:34:21Z
dc.date.available 2021-04-16T06:34:21Z
dc.date.issued 2004-03-31
dc.identifier.citation DOROGAN, Valerian, VIERU, Tatiana, DOROGAN, Andrei et al. Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată. Brevet MD 2413, CIB H01L 31/00. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: a 2003 0225. Data depozit: 2003.09.16. Data public.: 2004.03.31. In: BOPI. 2004, nr. 3. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2003 0225
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202003%200225
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/14196
dc.description.abstract Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la fotodiode, şi poate fi utilizată în sistemele optoelectronice pentru detectarea, înregistrarea şi transformarea semnalelor optice transmise prin fibre optice, prin atmosferă sau prin alte medii optice. Esenţa invenţiei constă în aceea că fotodioda selectivă cu sensibilitate modulată pe baza heterosrtucturilor compuşilor III–V conţine un substrat cu bandă energetică interzisă Eg0, pe care sunt depuse consecutiv un strat activ intrinsec cu Eg1, un strat frontal cu Eg2, grosimea căruia este mai mare decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari şi în care la heterograniţa cu stratul activ este formată prima joncţiune p-n, şi unstrat antireflectant cu Eg3, totodată Eg1<Eg2<Eg0<Eg1<Eg2<Eg0. en_US
dc.description.abstract The invention refers to the semiconductor engineering, namely to photodiodes, and may be used in the optoelectronic systems for detection, recording and transduction of optical signals transmitted by optical fibers, atmosphere or other optical media. Summary of the invention consists in that the selective photodiode with modulated sensibility on base of the compounds III-V heterostructure contains a support with the band-gap energy Eg0, onto which there are consecutively applied an active layer having intrinsic conduction with Eg1, a frontal layer with Eg2, the thickness of which is greater than the diffusion length of the minority carriers wherein on the heteroborder with the active layer it is formed the first p-n junction and an antireflection layer with Eg3, moreover Eg1<Eg2<Eg0<Eg1<Eg2<Eg0. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova en_US
dc.rights Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2023.09.16. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject semiconductori en_US
dc.subject fotodiode en_US
dc.subject semnale optice en_US
dc.subject semiconductors en_US
dc.subject photodiodes en_US
dc.subject optical signals en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 31/00 (2006.01) en_US
dc.title Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2023.09.16. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2023.09.16.

Search DSpace


Browse

My Account