Procedeu de obţinere a nanofirelor de arseniură de galiu

Abstract

Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în particular la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratare electrochimică. Procedeul, conform invenţiei, include executarea unui contact electric din pastă de argint pe o plachetă de n-GaAs cu orientarea cristalografică (111)B, instalarea plachetei pe un O-inel într-o celulă de Teflon şi anodizarea acesteia întrun electrolit ce conține soluție de 1M HNO3, la temperatura camerei timp de 20 min, în regim potenţiostatic cu aplicarea tensiunii de 3,0 - 4,5 V.

Изобретение относится к технологии производства наноструктурированных материалов, в частности к способам получения наноструктур путем электрохимической обработки. Способ, согласно изобретению, включает выполнение электрического контакта из пасты серебра на пластине n-GaAs с кристаллографической ориентацией (111)B, установка пластины на уплотнительное кольцо в тефлоновой ячейке и ее анодирование в электролите, который содержит раствор 1M HNO3 при комнатной температуре в течение 20 минут, в потенциостатическом режиме с подачей напряжения 3,0 - 4,5 В.

The invention relates to the nanostructured materials production technology, in particular to methods for producing nanostructures by electrochemical machining. The method, according to the invention, comprises making an electrical contact of a silver paste on an n-GaAs wafer with (111)B crystallographic orientation, installing the wafer on an O-ring in a Teflon cell and anodizing it in an electrolyte which contains a 1M HNO3 solution at room temperature for 20 minutes, in potentiostatic mode with a voltage supply of 3.0 - 4.5 V.