Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration

STAMOV, I.G.; SYRBU, N.N.; DOROGAN, A.V.; NEMERENCO, L.L.

Home
→
Colecția instituțională
→
Inventii
→
INVENTICA
→
2019
→
View Item

dc.contributor.author	STAMOV, I.G.
dc.contributor.author	SYRBU, N.N.
dc.contributor.author	DOROGAN, A.V.
dc.contributor.author	NEMERENCO, L.L.
dc.date.accessioned	2023-12-04T12:02:08Z
dc.date.available	2023-12-04T12:02:08Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.citation	STAMOV, I.G., SYRBU, N.N., DOROGAN, A.V., NEMERENCO, L.L. Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration. In: The 23th international exhibition of inventions INVENTICA 2019, Iasi, Romania, 2019, p. 292. ISSN:1844-7880.	en_US
dc.identifier.issn	1844-7880
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/25151
dc.description	Patent / patent application Nr. Pending patent.	en_US
dc.description.abstract	Dispozitivul reprezintă o diodă Schottky bazată pe o structură Me-ZnP2, obținută prin depunerea electrochimică a metalului și prin pulverizarea termochimică în vid. Principiul de funcționare se bazează pe efectul girotropieiopticeși polarizabilitatea neliniarăa cristalului în intervalul de lungimi de undă de 450-800nm.Caracteristicile fotoelectrice ale diodei și fotocurentul depind de polarizarea radiației incidente și a tensiunii aplicate.Dispozitivul poate fi utilizat pentru studiereadispersiei modalede polarizare, orientarea exactă a obiectelor în spațiu și alte aplicații din industrie.	en_US
dc.description.abstract	The device represents a Schottky diode based on Ме- ZnP2structure obtained by electrochemical deposition of metal and by thermo-chemical spraying in vacuum. The operating principle is based on optical gyrotropy effect and nonlinear crystal polarizability in the wavelength range 450- 800nm. The diode’s LIV characteristics and photocurrent depend on the polarization of incident light and applied voltage. The device can be used for studying the polarization modedispersion, exact orientation of objects in space and other industry applications.	en_US
dc.language.iso	en	en_US
dc.publisher	Technical University "Gheorghe Asachi" of Iași	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	diodă Schottky	en_US
dc.subject	structură Me-ZnP2	en_US
dc.subject	pulverizare termochimică în vid	en_US
dc.subject	Schottky diode	en_US
dc.subject	Ме - ZnP2 structure	en_US
dc.subject	thermo-chemical spraying in vacuum	en_US
dc.title	Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration	en_US
dc.type	Article	en_US