Procedee de obținere a semiconductorilor pe bază de GaN:Mg

Abstract

Procedeul, conform invenţiei, constă în obţinerea particulelor şi nano-microfirelor de GaN cu conductibilitate de tip P prin intermediul reacţiilor chimice în procesul hidrotermal, dintre compusul utilizat ca sursă a atomilor de galiu şi acetat de magneziu Mg(CH3COO)2, sau acetat tetrahidrat de magneziu Mg(CH3COO)2 * 4H2O – ca sursă a atomilor de magneziu cu concentrația de (0,4 - 2,0) %wt. Materilul obținut cu dimensionalități la nivel nano- micrometric demonstrează proprietăţi radiative intense cu maximul benzii de emisie situat la 380 nm.

The process according to the invention consists in obtaining p-type conductivity GaN particles and nano- microwires by means of chemical reactions in the hydrothermal process, between the compound used as source of gallium atoms and magnesium acetate Mg(CH3COO)2, or acetate tetrahydrate of magnesium Mg(CH3COO)2•4H2O - as a source of magnesium atoms with a concentration of (0.4 - 2.0)% wt. The material obtained with dimensions at nano-micrometric level demonstrates intense radiative properties with the maximum emission band located at 380 nm.