IRTUM – Institutional Repository of the Technical University of Moldova
Позиционная чувствительность 4-х контактных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | СЕНОКОСОВ, Э. А. | |
| dc.contributor.author | ЧУКИТА, В. И. | |
| dc.contributor.author | ХАМИДУЛЛИН, Р. А. | |
| dc.contributor.author | ЧЕБАН, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2019-10-18T12:45:55Z | |
| dc.date.available | 2019-10-18T12:45:55Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.identifier.citation | СЕНОКОСОВ, Э. А., ЧУКИТА, В. И., ХАМИДУЛЛИН, Р. А., ЧЕБАН, В. Н. Позиционная чувствительность 4-х контактных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда. In: Microelectronics and Computer Science: proc. of the 8th intern. conf., October 22-25, 2014. Chişinău, 2014, pp. 50-53. ISBN 978-9975-45-329-5. | en_US |
| dc.identifier.isbn | 978-9975-45-329-5 | |
| dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/4860 | |
| dc.description.abstract | Показана возможность создания 4-х контактных позиционно - чувствительных фотоприемников из эпитаксиальных слоев n-CdSe, выращенных в квазизамкнутом объеме на кристаллах слюды. Проведен анализ их позиционной чувствительности на основе элементарной теории токопротекания, развитой на базе решения уравнения Лапласа, и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности таких ПЧФ коррелируют с их экспериментальными зависимостями как по форме, так и положению своих максимумов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Tehnica UTM | en_US |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
| dc.subject | чувствительные фотоприемники | en_US |
| dc.subject | полупроводниковыe фотоэлементы | en_US |
| dc.subject | фоторезисторы | en_US |
| dc.title | Позиционная чувствительность 4-х контактных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
Files in this item
The following license files are associated with this item:
This item appears in the following Collection(s)
Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States