Nanostructurarea cristalelor de GaAs: studiul comparativ al regimului galvanostatic şi potenţiostatic

MONAICO, Elena; MONAICO, Eduard

dc.contributor.author	MONAICO, Elena
dc.contributor.author	MONAICO, Eduard
dc.date.accessioned	2019-02-27T10:50:40Z
dc.date.available	2019-02-27T10:50:40Z
dc.date.issued	2016
dc.identifier.citation	MONAICO, Elena, MONAICO, Eduard. Nanostructurarea cristalelor de GaAs: studiul comparativ al regimului galvanostatic şi potenţiostatic [Resursă electronică]. In: Conferința Tehnico-Științifică a Colaboratorilor, Doctoranzilor și Studenților, Universitatea Tehnică a Moldovei, 26-28 noiembrie, 2015. Chișinău, 2016, vol. 1, pp. 175-178. ISBN 978-9975-45-440-7. ISBN 978-9975-45-441-4 (Vol.1).	en_US
dc.identifier.isbn	978-9975-45-440-7
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/696
dc.description	Resursă electronică	en_US
dc.description.abstract	În lucrarea dată se demonstrează procesul de dirjare a porilor în cristalele de GaAs supuse corodării electrochimice pe ambele suprafeţe. De asemenea a fost studiat impactul procesului de anodizare: potenţiostatic sau galvanostatic, asupra morfologiei stratului poros obţinut. Pentru a face procesul tehnologic mai ecologic şi accesibil, în lucrarea dată se demonstrează posibilitatea de formare a porilor în cristalele de GaAs in soluţie apoasă de NaCl.	en_US
dc.language.iso	ro	en_US
dc.publisher	Tehnica UTM	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	cristale	en_US
dc.subject	arseniura de galiu	en_US
dc.title	Nanostructurarea cristalelor de GaAs: studiul comparativ al regimului galvanostatic şi potenţiostatic	en_US
dc.type	Article	en_US