dc.contributor.author | TOPALA, P. | |
dc.contributor.author | MELNIC, V. | |
dc.contributor.author | GUZGAN, D. | |
dc.date.accessioned | 2020-09-15T09:57:15Z | |
dc.date.available | 2020-09-15T09:57:15Z | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.identifier.citation | TOPALA, P., MELNIC, V., GUZGAN, D. Formarea peliculelor de oxizi pe suprafața siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acțiune indirectă. In: Inginerie Agrară şi Transport Auto: materialele Simpoz. Şt.-Practic Intern. "Realizări şi perspective în ingineria agrară şi transport auto", Chișinău, 12-13 noiem. 2015. Chișinău, 2015, vol. 45, pp. 249-252. ISBN 978-9975-64-276-7. | en_US |
dc.identifier.isbn | 978-9975-64-276-7 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/9447 | |
dc.description | Sursa: Simpozion Şt.- Practic Intern. – "Realizări şi perspective în ingineria agrară şi transport auto", Vol. 45, Chișinău, Moldova, 12-13 noiembrie 2015. https://ibn.idsi.md/collection_view/185 | en_US |
dc.description.abstract | Oxidation of semiconductor surface by means of electrical discharges in impulse in air has been realized under normal conditions. It is shown that the morphology of oxide films depends on the processing power. The quantity of oxygen absorbed by semiconductor surface depends on discharge frequency and number of discharges. | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Universitatea Agrară de Stat din Moldova | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | oxidation | en_US |
dc.subject | oxide films | en_US |
dc.subject | semiconductor surfaces | en_US |
dc.subject | discharges | en_US |
dc.subject | oxidare | en_US |
dc.subject | material semiconductor | en_US |
dc.title | Formarea peliculelor de oxizi pe suprafața siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acțiune indirectă | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: